2SK2381 MOSFET N-CH 200V 5A 25W 0.56 OHM
|
2007г Toshiba TO-220F 500
|
1936
|
4,08
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
IRFSL5620PBF MOSFET N-CH 200V 24A
|
2009г Infineon ТО-262 лин.50
|
469
|
7,44
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
IRFSL5620PBF MOSFET N-CH 200V 24A
|
09 Infineon ТО-262 лин.50
|
469
|
7,04
|
18.04.2023 9:27:48
|
|
|
2SK2381 MOSFET N-Ch 200V 5A 25W 0.56 Ohm
|
07 Toshiba TO-220F 500
|
1939
|
3,82
|
18.04.2023 9:27:48
|
|
|
2SK2381 MOSFET N-CH 200V 5A 25W 0,56 OHM
|
|
1454
|
6,47
|
29.03.2023 12:59:50
|
|
|
IRFSL5620PBF MOSFET N-CH 200V 24A
|
|
352
|
11,50
|
29.03.2023 12:59:50
|
|
|
MO-200-2-56 J
|
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 5.6 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,24
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 560 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,28
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 560 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 5.6 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 56 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,26
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 56 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|